GaN晶圓可使LED發(fā)光效率提高1倍

    日本礙子2012年4月25日發(fā)布消息稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN（氮化鎵）晶圓。該晶圓在生長GaN單結晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。

　　日本礙子在其他研究機構的協助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗，結果表明，該衡陽LED亮化工程項目LED元件的內部量子效率達到約90％（注入電流200mA時）。據日本礙子介紹，市售LED元件的內部量子效率為30～40％（注入電流200mA時），照此計算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內部量子效率提高了1倍以上，這樣便可使發(fā)光效率達到市售LED光源的2倍（200lm/W），將耗電量降低50％并抑制發(fā)熱，從而實現照明器具的長壽命化及小型化。

    日本礙子2012年度設立了“晶圓項目”，以促使晶圓相關產品實現商品化。今后還預定于2012年內開始樣品供貨世界首款以液相生長法制造的直徑4英寸的GaN晶圓。該公司將瞄準以混合動力車及電動汽車的功率器件以及無線通信基站的功率放大器為對象的晶圓市場，為進一步降低缺陷密度并加大口徑（直徑6英寸）繼續(xù)推進開發(fā)。

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